场效应管

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消息称一种单PN结的场效应管研发成功

  • 产品时间:2022-01-05 22:55
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简要描述:【赛迪网讯】8月26日消息,据相关研究人员介绍,他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破,发明了一种名为单PN结的新型基础电子器件。 众所周知,晶体管要分成多种类型。...

详细介绍

  【赛迪网讯】8月26日消息,据相关研究人员介绍,他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破,发明了一种名为单PN结的新型基础电子器件。

  众所周知,晶体管要分成多种类型。其中,MOSFET作为基础器件由于其优越性能得到了广泛的应用。但是目前使用的场效应管存在两个被学术界称为PN结的结构。正常工作时源极和衬底间的PN结始终处于正向导通状态,所以在一般情况下,场效应管的源极和衬底是连接在一起的,由此源极和衬底间的PN结并没有在电路中起作用。

  他们据此提出了一项专利申请,制造一种只有一个PN结的场效应管,能够完全取代现有结构的场效应管、简化场效应管的结构、降低成本并提高集成度。

  相关研究人员表示,“单PN结场效应管只需改变相应设计,完全能够在现有标准的CMOS生产线上成功制造出来,希望能够有设计和制造伙伴与我们进行对接,尽快向产业化推进。”

 


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